浙江驰拓科技有限公司

1.独立式车规MRAM存储芯片：容量1Mb~64Mb，SPI/IIC接口，宽温-40℃~125℃，满足AEC-Q100 Grade1车规，SOP8/DFN8封装，适配车载域控、BMS电池管理、车身控制器、自动驾驶导航、T-BOX，自研流片+封装测试工艺 2.嵌入式eMRAM IP核：90/40/28nm工艺节点，可集成车载MCU/SoC，替代片上Flash，提供MPW多项目晶圆流片定制服务 3.配套技术服务：车规芯片可靠性测试、存储方案EVI同步开发、MTJ磁隧道结工艺定制、芯片失效分析、进出口芯片交付，具备完整芯片设计、流片、封装、测试全链条能力